Vishay IRF740AS Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 400 V, 3-Pin TO-263

RS Stock No.:: 256-7276
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF740ASPBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRF740AS Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 400 V, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB2,493.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,667.85

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB49.866	THB2,493.30
100 - 450	THB48.37	THB2,418.50
500 - 950	THB46.919	THB2,345.95
1000 +	THB45.511	THB2,275.55

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 256-7276
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF740ASPBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	400V
	Package Type	TO-263
	Series	IRF740AS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.55Ω
	Forward Voltage Vf	2V
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	10V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Height	4.83mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 400V
	Package Type TO-263
	Series IRF740AS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.55Ω
	Forward Voltage Vf 2V
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Height 4.83mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF740ASPBF

Vishay IRF740AS Series Power MOSFET, 400V Maximum Drain Source Voltage, 10A Maximum Continuous Drain Current - IRF740ASPBF

This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and power control tasks in industrial electronic systems. It is supplied in a surface-mount TO-263 package suitable for board-level assembly and is intended for use where robust voltage handling and substantial current capability are required.

Features and Benefits:

• 400V drain-source rating enables high-voltage switching
• 10A continuous drain current supports sustained load drive
• 0.55Ω Rds(on) reduces conduction losses during operation
• 125W power dissipation permits significant thermal load handling
• 36nC typical gate charge allows responsive switching transitions
• ±150°C operating range supports elevated temperature environments

Applications

• Suitable for power converters in automation equipment
• Ideal for high-voltage motor drive stages
• Used for switch-mode power supplies in industrial electronics
• Can be used for load switching in power distribution modules
• Used with thermal-management systems in harsh environments

What package and mounting style does it use for PCB assembly?

It is supplied in a TO-263 surface-mount package with three pins for direct SMD attachment.

What gate voltage limits should designers observe?

The gate must be kept within ±10V relative to the source to avoid exceeding the gate-source rating.

How does it behave thermally under continuous load?

It can dissipate up to 125W

appropriate heatsinking or board thermal design is required to manage junction temperature.

Are there environmental or approval considerations when specifying it?

It is compliant with RoHS standards for restricted substances.