Vishay IRF740AS Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 400 V, 3-Pin TO-263 IRF740ASPBF

RS Stock No.:: 256-7276
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF740ASPBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRF740AS Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 400 V, 3-Pin TO-263 IRF740ASPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB2,687.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,875.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB53.75	THB2,687.50
100 - 450	THB52.138	THB2,606.90
500 - 950	THB50.574	THB2,528.70
1000 +	THB49.057	THB2,452.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 256-7276
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF740ASPBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	400V
	Series	IRF740AS
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.55Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	10V
	Forward Voltage Vf	2V
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	4.83mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 400V
	Series IRF740AS
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.55Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V
	Forward Voltage Vf 2V
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Height 4.83mm
	Automotive Standard No

Vishay IRF740AS Series Power MOSFET, 400V Drain Source Voltage, 125W Power Dissipation - IRF740ASPBF

This power MOSFET is a high-voltage, N-channel switching device designed for surface-mount power applications. It is intended for use where robust switching of high drain voltages is required and operates across a wide temperature range for demanding thermal environments.

Features and Benefits:

• 400V drain rating enables high-voltage switching applications
• 10A continuous drain current supports substantial load currents
• 0.55Ω Rds(on) reduces conduction losses in switching stages
• 125W power dissipation allows significant thermal throughput
• 36nC typical gate charge facilitates controlled switching transitions
• 10V gate tolerance suits common drive-voltage architectures

Applications

• Suitable for switch-mode power supplies in industrial systems
• Ideal for high-voltage motor-driver front ends
• Used for power conversion in renewable-energy inverters
• Can be used for auxiliary power rails in telecom equipment
• Employed in general-purpose high-voltage switching circuits

What package type should I anticipate for board layout considerations?

It is supplied in a TO-263 package intended for surface mounting, permitting heat-sinking via the PCB and allowing for larger current paths.

What ambient temperature extremes can the device withstand during operation?

The transistor is rated to function across an operating temperature span from -55°C up to +150°C, accommodating both low-temperature starts and elevated thermal conditions.

How does gate drive affect switching performance?

With a typical gate charge of 36nC at a 10V gate drive, switching speed and gate-drive current requirements should be balanced to manage transition losses and EMI.

What type of conductivity does the device use for switching?

It employs an N-channel conduction channel, suitable for low-side and high-side arrangements depending on circuit topology.