Vishay IRF630 Type N-Channel Power MOSFET, 5.9 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB IRF630PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB1,071.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,146.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 950 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 03 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 50THB21.43THB1,071.50
100 - 450THB20.787THB1,039.35
500 - 4950THB20.164THB1,008.20
5000 +THB19.559THB977.95

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
256-7274
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF630PBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-220AB

Series

IRF630

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.4Ω

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

74W

Forward Voltage Vf

2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Maximum Operating Temperature

+150°C

Height

4.65mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay IRF630 Series Power MOSFET, 200V Maximum Drain Source Voltage, 5.9A Maximum Continuous Drain Current - IRF630PBF


This power MOSFET is a through-hole N-channel transistor designed for switching and amplification in industrial electronic systems. It operates at high voltage and is suitable for use where substantial power handling and thermal endurance are required. The device is housed in a TO-220AB package and intended for integration into conventional board-mount assemblies.

Features and Benefits:


• 200V drain-source rating enabling high-voltage switching applications • 5.9A continuous drain current for sustained load handling • 0.4Ω Rds(on) reducing conduction losses under load • 74W power dissipation allowing elevated power transfer • 43nC typical gate charge for predictable drive requirements • Rated to +150°C for extended temperature operation

Applications


• Suitable for switch-mode power supplies requiring high-voltage transistors • Ideal for motor-control stages in industrial automation equipment • Used for high-voltage relays and solid-state switching modules • Can be used for prototype and repair in through-hole power designs • Used with discrete amplifier circuits needing substantial power handling

What gate-drive constraints should I consider for switching?


The gate must tolerate up to 10V between gate and source

design the driver to deliver sufficient charge for the typical 43nC gate charge to achieve the desired switching speed.

How should thermal management be approached on this component?


Mount the package on a heatsink or ensure adequate PCB copper and airflow to dissipate up to 74W, and account for the maximum junction rating when calculating thermal resistance.

What mounting and connection format does it require?


It is a through-hole device with three pins in a TO-220AB package compatible with standard through-hole sockets and heatsink attachment methods.

What environmental temperature range is supported during operation?


It is specified for operation down to -55°C and up to +150°C, enabling use across a wide range of ambient conditions.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง