Vishay SiS4608DN Type N-Channel MOSFET, 35.7 A, 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS4608DN-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 252-0287
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIS4608DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB226.12
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB241.95
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 6,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB22.612 | THB226.12 |
| 50 - 90 | THB22.162 | THB221.62 |
| 100 - 240 | THB17.312 | THB173.12 |
| 250 - 990 | THB16.958 | THB169.58 |
| 1000 + | THB10.952 | THB109.52 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 252-0287
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIS4608DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 35.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 | |
| Series | SiS4608DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.01mΩ | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 33.7W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.3 mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 35.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8 | ||
Series SiS4608DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.01mΩ | ||
Channel Mode Depletion | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 33.7W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 3.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.3 mm | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. N-Channel MOSFETs contain additional electrons which are free to move around. They are a more popular channel type. N-Channel MOSFETs work when a positive charge is applied to the gate terminal.
TrenchFET Gen V power MOSFET
Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiS4608DN Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS4608LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS4604LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS4604DN-T1-GE3