Vishay SiS4608DN Type N-Channel MOSFET, 35.7 A, 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
252-0286
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIS4608DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

35.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SiS4608DN

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.01mΩ

Channel Mode

Depletion

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

33.7W

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.5nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

3.3 mm

Height

3.3mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. N-Channel MOSFETs contain additional electrons which are free to move around. They are a more popular channel type. N-Channel MOSFETs work when a positive charge is applied to the gate terminal.

TrenchFET Gen V power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง