Infineon BSS Type P-Channel MOSFET, 0.15 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 250-0557
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS315PH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB8,607.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB9,210.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB2.869 | THB8,607.00 |
| 6000 - 6000 | THB2.582 | THB7,746.00 |
| 9000 + | THB2.324 | THB6,972.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 250-0557
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS315PH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 0.15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | BSS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 0.15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series BSS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon makes P-channel with enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free. The OptiMOS P 2 Small Signal-Transistor. The Logic level 4.5V rated, avalanche rated.
Logic level is 4.5V rated
100% lead-free, and Halogen-free
Maximum power dissipation is 500mW
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSS Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS315PH6327XTSA1
- Infineon BSS Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS306NH6327XTSA1
- Infineon BSS Type P-Channel MOSFET 100 V Depletion, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-323
- Infineon BSS Type P-Channel MOSFET 100 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS169H6327XTSA1
- Infineon BSS Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 BSS209PWH6327XTSA1
- Infineon BSS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23