Infineon BSS Type P-Channel MOSFET, 630 mA, -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 BSS209PWH6327XTSA1

RS Stock No.:: 250-0553
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS209PWH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon BSS Type P-Channel MOSFET, 630 mA, -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 BSS209PWH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB7,350.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB7,860.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB2.45	THB7,350.00
6000 - 6000	THB2.205	THB6,615.00
9000 +	THB1.984	THB5,952.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 250-0553
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS209PWH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	630mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-20V
	Series	BSS
	Package Type	SOT-323
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	550mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 630mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds -20V
	Series BSS
	Package Type SOT-323
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 550mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon BSS Series MOSFET, 20V Maximum Drain-Source Voltage, 0.63A Maximum Continuous Drain Current - BSS209PWH6327XTSA1

This MOSFET is a P-channel enhancement-mode transistor designed for surface-mount applications in demanding electrical environments. It operates across a wide temperature range and is suited to circuits requiring controlled low-side switching and power management within Compact SOT-323 packages. The device offers practical gate-charge characteristics and modest power handling for small-signal and automotive-related circuitry.

Features and Benefits:

• 550mΩ Rds(on) reduces on-state conduction losses
• 80nC gate charge enables predictable switching performance
• 1V forward voltage minimises voltage drop in diode conduction
• 81W power dissipation supports transient thermal loading
• ±20V gate-source tolerance allows flexible drive arrangements

Applications

• Suitable for automotive control Interface circuits
• Ideal for Compact power-rail reverse-polarity protection
• Used with battery-management sensing and switching
• Can be used for portable device power sequencing
• Useful in surface-mount signal-level power switching

What operating temperatures can it withstand?

It functions from -55°C up to +150°C.

How many pins and what mounting style does it use?

It is a 3-pin device designed for surface mounting in SOT-323 packages.

What certifications or approvals are present for industry use?

It is RoHS-compliant and meets AEC-Q101 automotive standard requirements.

What is the maximum permitted drain-source voltage and gate limit?

The drain-source rating is -20V and the maximum gate-source voltage is ±20V.