Infineon BSS Type P-Channel MOSFET, 0.9 A, 100 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS169H6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB119.51

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB127.88

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 7,810 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 10THB11.951THB119.51
20 - 90THB10.742THB107.42
100 - 240THB9.668THB96.68
250 - 490THB8.701THB87.01
500 +THB7.841THB78.41

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
250-0551
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSS169H6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

0.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-23

Series

BSS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Depletion

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Distrelec Product Id

304-40-500

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon makes N-channel Depletion mode small signal MOSFET transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free. It is a SIPMOS Small-Signal-Transistor, dv /dt rated and available with V GS(th) indicator on reel.

VDS is 100 V, Rds(on),max 12 W and IDSS,min is 0.09 A

Maximum power dissipation is 360mW

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง