Infineon BSP Type N-Channel MOSFET, 0.68 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSP316PH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB142.12

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB152.07

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
คำสั่งซื้อมูลค่าต่ำกว่า THB2,500.00 (ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม) ค่าจัดส่งเพียง THB250.00
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 1,920 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB28.424THB142.12
10 - 95THB25.568THB127.84
100 - 245THB23.024THB115.12
250 - 495THB20.728THB103.64
500 +THB18.62THB93.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
250-0536
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-40-496
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSP316PH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

0.68A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

BSP

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon makes this SIPMOS, Small-Signal-Transistor P-Channel, Enhancement mode mosfet. The device is dv/dt rated, P-channel, Enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free.

Vds is 100 V, RDS(on) 1.8 Ω and Id is 0.68 A

Maximum power dissipation is 360 mW

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง

Recently viewed