Infineon BSP Type P-Channel MOSFET, 680 mA, -100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSP316PH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB156.33

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB167.27

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 910 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB31.266THB156.33
10 - 95THB28.124THB140.62
100 - 245THB25.326THB126.63
250 - 495THB22.80THB114.00
500 +THB20.482THB102.41

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
250-0536
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-40-496
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSP316PH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

680mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

-100V

Package Type

SOT-223

Series

BSP

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1800mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

+150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon BSP Series MOSFET, 100V Maximum Drain‑Source Voltage, +150°C Maximum Operating Temperature - BSP316PH6327XTSA1


This p‑channel MOSFET is a surface‑mount transistor designed for power switching in temperature‑demanding environments. It operates across a wide thermal range and is intended for applications requiring controlled drain‑source conduction with moderate continuous current capability. The component meets automotive screening and environmental restrictions for use where standards compliance is required.

Features and Benefits:


• 1800mΩ Rds(on) reduces conduction losses and simplifies thermal design
• 0.68A continuous drain current supports low‑to‑moderate load switching
• 80nC typical gate charge enables Faster gate transitions with lower drive energy
• 81W power dissipation allows sustained energy handling in constrained packages
• +150°C maximum operating temperature permits use in high‑temperature assemblies

Applications


• Suitable for automotive subsystem power management
• Ideal for surface‑mount regulator and load‑switch circuits
• Used with battery management and low‑current switching modules
• Can be used for thermal‑tolerant power‑path control on Compact boards
• Suitable for designs requiring RoHS‑compliant P‑channel components

What gate voltage limits must be observed during operation?


The device accepts up to 20V between gate and source and should not exceed that value.

What package and mounting style does it use for PCB integration?


It is supplied in a SOT‑223 package intended for surface mounting to aid thermal coupling.

What electrothermal behaviour applies for sustained dissipation?


The part is rated to dissipate up to 81W under specified conditions but requires appropriate PCB thermal management.

Is the device qualified for automotive environments?


It complies with AEC‑Q101 standards for automotive‑grade semiconductor screening.

What environmental restriction standard does it meet?


The component is RoHS compliant, meeting lead‑free and restricted‑substance requirements.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง