Infineon BSP Type P-Channel MOSFET, 0.68 A, -100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSP316PH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (5 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 5)*

THB156.33

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB167.27

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 910 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB31.266THB156.33
10 - 95THB28.124THB140.62
100 - 245THB25.326THB126.63
250 - 495THB22.80THB114.00
500 +THB20.482THB102.41

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
250-0536
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-40-496
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSP316PH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.68A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-100V

Package Type

SOT-223

Series

BSP

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1800mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

+150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon makes this SIPMOS, Small-Signal-Transistor P-Channel, Enhancement mode mosfet. The device is dv/dt rated, P-channel, Enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free.

Vds is 100 V, RDS(on) 1.8 Ω and Id is 0.68 A

Maximum power dissipation is 360 mW

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง