STMicroelectronics A2F SiC Power Module, 75 A, 1200 V Enhancement ACEPACK 2
- RS Stock No.:
- 249-6717
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- A2F12M12W2-F1
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 18 ชิ้น)*
THB186,934.338
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB200,019.744
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 18 - 18 | THB10,385.241 | THB186,934.34 |
| 36 - 36 | THB10,073.652 | THB181,325.74 |
| 54 + | THB9,771.466 | THB175,886.39 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-6717
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- A2F12M12W2-F1
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | SiC Power Module | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 75A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | ACEPACK 2 | |
| Series | A2F | |
| Mount Type | Chassis | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 18 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | UL | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type SiC Power Module | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 75A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type ACEPACK 2 | ||
Series A2F | ||
Mount Type Chassis | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 18 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals UL | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics is designed as power module in four pack topology integrates advanced silicon carbide power MOSFET technology. The module leverages the innovative properties of the wide-bandgap SiC material and a high-thermal-performance substrate.
Four pack topology
ACEPACK 2 power module
13 mΩ of typical RDS(on) each switch
Insulation voltage UL certified of 2.5 kVrms
Integrated NTC temperature sensor
DBC Cu-Al2O3-Cu based
Press fit contact pins
Excellent switching performance that is virtually independent of temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics A2F SiC Power Module 1200 V Enhancement ACEPACK 2 A2F12M12W2-F1
- STMicroelectronics 3 Phase A2U Type N-Channel SiC Power Module 1200 V Enhancement, 8-Pin ACEPACK 2
- STMicroelectronics 3 Phase A2U Type N-Channel SiC Power Module 1200 V Enhancement, 8-Pin ACEPACK 2 A2U12M12W2-F2
- STMicroelectronics M2TP80M12W2 8 Type N-Channel MOSFET Arrays 1200 V Enhancement, 32-Pin ACEPACK DMT-32
- onsemi SiC Power Module, 1200 V F1-2PACK
- onsemi SiC Power Module, 1200 V F1-2PACK NXH010P120MNF1PTG
- STMicroelectronics SCT30N120H SiC N-Channel SiC Power Module 1200 V, 3-Pin HiP247 SCT30N120H
- STMicroelectronics SCT10N120H SiC N-Channel SiC Power Module 1200 V, 3-Pin HiP247 SCT10N120H
