ROHM R6530KNX3 Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6530KNX3C16
- RS Stock No.:
- 249-1126
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6530KNX3C16
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB286.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB306.12
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 78 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | THB143.05 | THB286.10 |
| 50 - 98 | THB134.905 | THB269.81 |
| 100 - 248 | THB114.855 | THB229.71 |
| 250 - 498 | THB112.50 | THB225.00 |
| 500 + | THB105.44 | THB210.88 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-1126
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6530KNX3C16
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | R6530KNX3 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series R6530KNX3 | ||
Package Type TO-220 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM high-speed switching N channel 650 V, 30 A drain current power MOSFET are high-speed switching products, super junction MOSFETs, that place an emphasis on high efficiency, this series products achieve higher efficiency via high-speed switching, h
Low on-resistance
Ultra fast switching
Parallel use is easy
Pb-free plating
RoHs compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM R6530KNX3 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 NTPF110N65S3HF
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 NTP110N65S3HF
- onsemi NTP095N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 NTP095N65S3H
- Toshiba TK090A65Z Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementS4X(S
- onsemi NTP095N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK090A65Z Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247