Toshiba TK090A65Z Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK090A65Z,S4X(S
- RS Stock No.:
- 206-9723
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK090A65Z,S4X(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB7,085.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB7,581.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 50 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB141.712 | THB7,085.60 |
| 100 - 150 | THB138.632 | THB6,931.60 |
| 200 + | THB135.551 | THB6,777.55 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 206-9723
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK090A65Z,S4X(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | TK090A65Z | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 90mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 10 mm | |
| Length | 28mm | |
| Height | 2.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series TK090A65Z | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 90mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 10 mm | ||
Length 28mm | ||
Height 2.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Toshiba silicon N-channel MOSFET having high-speed switching properties with lower capacitance. It is mainly used in switching power supplies.
Low drain-source on-resistance 0.075 ?
Storage temperature -55 to 150°C
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba TK090A65Z Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 60 V EnhancementS4X(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220