onsemi Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 NTPF110N65S3HF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB317.89

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB340.142

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 248THB158.945THB317.89
250 - 498THB154.97THB309.94
500 +THB152.59THB305.18

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
186-1441
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NTPF110N65S3HF
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

62nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

16.12mm

Standards/Approvals

No

Length

10.63mm

Width

4.9 mm

Automotive Standard

No

ไม่สอดคล้อง

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 62 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 522 pF)

Optimized Capacitance

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Typ. RDS(on) = 98 mΩ

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง