Infineon IPD N-Channel MOSFET, 180 A, 75 V N, 3-Pin TO-252 IPD80R450P7ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (2 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 2)*

THB173.78

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB185.94

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB86.89THB173.78
10 - 98THB82.55THB165.10
100 - 248THB78.395THB156.79
250 - 498THB74.445THB148.89
500 +THB70.70THB141.40

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
244-8551
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD80R450P7ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

+150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon IPD Series MOSFET, 75V Drain Source Voltage, 180A Continuous Drain Current - IPD80R450P7ATMA1


This MOSFET is a three‑lead N‑channel power transistor designed for high‑current switching in surface‑mounted applications. It operates across a wide temperature range for demanding conditions and is suitable where low conduction losses and robust gate protection are required.

Features and Benefits:


• 75V drain rating enables use in medium‑voltage designs
• 180A continuous current supports heavy‑load switching
• 3mΩ low Rds(on) reduces conduction losses
• 81W power dissipation allows high‑power operation
• 80nC typical gate charge supports fast switching control
• 20V gate tolerance provides gate overvoltage protection

Applications


• Suitable for automotive power‑management modules
• Ideal for synchronous buck converter designs
• Used for high‑current motor drive stages
• Can be used for telecoms power distribution units
• Used with battery management and energy‑storage systems

What thermal extremes can it withstand?


It is rated to function from -55°C up to +150°C under specified conditions.

How is it packaged for PCB assembly?


It is supplied in a TO‑252 surface‑mount package for solder mounting.

What gate drive considerations apply?


The gate can tolerate up to 20V and exhibits a typical total gate charge of 80nC for drive sizing.

Does it comply with automotive reliability standards?


It meets AEC‑Q101 requirements for automotive component qualification.

Are there environmental compliance details?


The device is RoHS‑compliant, restricting hazardous substances.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง