Infineon IPD N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD95R750P7ATMA1

RS Stock No.:: 244-0883
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD95R750P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD95R750P7ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB140.08

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB149.88

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,328 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB70.04	THB140.08
10 - 98	THB66.49	THB132.98
100 - 248	THB63.285	THB126.57
250 - 498	THB60.08	THB120.16
500 +	THB57.06	THB114.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 244-0883
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD95R750P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	IPD
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.7mΩ
	Channel Mode	N
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series IPD
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.7mΩ
	Channel Mode N
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPD95R750P7ATMA1

Infineon IPD Series MOSFET, 100V Drain Source Voltage, 180A Continuous Drain Current - IPD95R750P7ATMA1

This MOSFET is a high-current switching transistor designed for surface-mounted power applications, operating across a wide temperature range suitable for demanding environments. It is an N-channel device packaged in a TO-252 format and intended for use where robust gate drive and significant continuous drain current are required.

Features and Benefits:

• 100V drain withstand supports high-voltage switching
• 180A continuous drain current enables heavy-load handling
• 0.7mΩ RDS(on) minimises conduction losses under load
• 81W power dissipation allows sustained power delivery
• 80nC gate charge balances switching speed and drive requirements
• 20V gate rating provides headroom for common gate drives

Applications

• Suitable for automotive power distribution modules
• Ideal for motor drive stages in electrified systems
• Used with DC-DC converters in high-current supplies
• Can be used for battery protection and management
• Suitable for high-power switching in industrial inverters

What temperature range can it reliably operate within?

It is rated to function from -55°C up to +150°C for extended operating conditions.

How does the pin configuration affect mounting?

The three-pin arrangement in a TO-252 surface-mount package facilitates Compact PCB layouts and efficient thermal conduction to the board.

What material or approval indicates restricted-substance compliance?

It meets RoHS requirements for restricted substances in electronic assemblies.

Is the device suitable for automotive qualification criteria?

It conforms to AEC-Q101 standards applicable to discrete semiconductors for automotive use.