Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 180 A, 75 V N, 3-Pin TO-252 IPD65R660CFDAATMA1
- RS Stock No.:
- 244-8548
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD65R660CFDAATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB137.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB147.072
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,402 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB68.725 | THB137.45 |
| 10 - 98 | THB65.23 | THB130.46 |
| 100 - 248 | THB62.05 | THB124.10 |
| 250 - 498 | THB58.87 | THB117.74 |
| 500 + | THB56.005 | THB112.01 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-8548
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD65R660CFDAATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon CoolMOS MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 650V CoolMOS CFDA series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resulting devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while offering an extremely fast and robust body diode. This combination of extremely low switching, commutation and conduction losses together with highest robustness make especially resonant switching applications more reliable, more efficient, lighter, and cooler.
Ultra-fast body diode
Very high commutation ruggedness
Extremely low losses due to very low
Easy to use/drive
Qualified according to AEC Q101
Green package (RoHS compliant)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 75 V N, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 75 V N, 3-Pin TO-252 IPD050N10N5ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 75 V N, 3-Pin TO-252 IPD80R450P7ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 75 V N, 3-Pin TO-252 IPD60R145CFD7ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 40 V N, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD50N10S3L16ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD95R750P7ATMA1