Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V N, 3-Pin TO-252 IPD80R280P7ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB86.76

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB92.83

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,443 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB86.76
10 - 99THB78.17
100 - 249THB75.31
250 - 499THB72.45
500 +THB69.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
244-0946
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD80R280P7ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2mΩ

Channel Mode

N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. Overall, it helps customers save BOM cost and reduce assembly effort.

Best-in-class DPAK RDS(on) of 280mΩ

Best-in-class V (GS)th of 3V and smallest V (GS)th variation of ± 0.5V

Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)

Best-in-class quality and reliability

Fully optimized portfolio

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง