Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V N, 3-Pin TO-252 IPD65R225C7ATMA1
- RS Stock No.:
- 244-0944
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD65R225C7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB180.61
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB193.252
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,464 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB90.305 | THB180.61 |
| 10 - 98 | THB81.02 | THB162.04 |
| 100 - 248 | THB66.90 | THB133.80 |
| 250 - 498 | THB63.18 | THB126.36 |
| 500 + | THB59.47 | THB118.94 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-0944
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD65R225C7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon's CoolMOS C7 Power MOSFETs are a revolutionary step forward in technology, providing low RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.They offer the world's lowest RDS(on) of 19mΩ in a TO-247 and 45mΩ in TO-220 and D2PAK packages. The fast switching performance of C7 now enables customers to operate at switching frequencies greater than 100kHz while achieving titanium levels of efficiency in Server PFC stages.
650V voltage
Revolutionary Best-in-Class RDS (on)/package
Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
Lower gate charge Qg
Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
Improved safety margin and suitable for both SMPS and Solar Inverter applications
Lowest conduction losses/package
Low switching losses
Better light load efficiency
Increasing power density
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 40 V N, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 40 V N, 3-Pin TO-252 IPD80R280P7ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 40 V N, 3-Pin TO-252 IPD30N12S3L31ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 75 V N, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 75 V N, 3-Pin TO-252 IPD050N10N5ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 75 V N, 3-Pin TO-252 IPD80R450P7ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD50N10S3L16ATMA1