Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 6.1 A, 950 V, 3-Pin SOT-223

RS Stock No.:: 244-2272
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPN95R3K7P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 6.1 A, 950 V, 3-Pin SOT-223

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB36,843.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB39,423.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB12.281	THB36,843.00
6000 - 6000	THB11.913	THB35,739.00
9000 +	THB11.436	THB34,308.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 244-2272
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPN95R3K7P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	950V
	Package Type	SOT-223
	Series	IPN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3mΩ
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	2mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 950V
	Package Type SOT-223
	Series IPN
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 2mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon IPN Series MOSFET, 950V Drain Source Voltage, 81W Power Dissipation - IPN95R3K7P7ATMA1

This MOSFET is a high-voltage N-channel switching device designed for surface-mount applications where robust drain-source performance and wide temperature tolerance are required. It operates across a broad thermal range and is suitable for circuits demanding substantial power handling and gate-drive tolerance in Compact SOT-223 packaging.

Features and Benefits:

• 950V drain-source capability enabling high-voltage switching
• 3mΩ low on-resistance reducing conduction losses
• 6.1A continuous current supporting moderate load currents
• 81W power dissipation allowing sustained thermal performance
• 80nC typical gate charge facilitating predictable switching behaviour
• 20V gate tolerance permitting common gate-drive voltages

Applications

• Suitable for high-voltage power conversion stages
• Ideal for industrial motor drive front-ends
• Used for switch-mode power supply primary switching
• Can be used for automotive power systems requiring qualification
• Used with Compact surface-mount assemblies on heat-managed boards

What thermal extremes can it withstand in operation?

It is rated to operate from -55°C up to +150°C.

How many pins does the package present for PCB layout?

The device uses a three-pin configuration in SOT-223 format.

What forward conduction characteristic is relevant for low-voltage drop?

The typical forward voltage is 0.9V during conduction.

Is the device suitable for automotive qualification standards?

It meets AEC-Q101 requirements for automotive-grade use.

What environmental compliance is indicated for disposal and use?

It is RoHS-compliant.