Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 100 A, 650 V, 3-Pin SOT-223
- RS Stock No.:
- 244-2268
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB53,268.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB56,997.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB17.756 | THB53,268.00 |
| 6000 - 6000 | THB15.98 | THB47,940.00 |
| 9000 + | THB14.382 | THB43,146.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-2268
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | IPN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series IPN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET (IPN60R360PFD7S) complements the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications. The IPN60R360PFD7S in a SOT-223 package features RDS(on) of 360mOhm resulting in low switching losses.
Very low FOM RDS(on) x Eoss
Integrated robust fast body diode
Up to 2kV ESD protection
Wide range of RDS(on) values
Excellent commutation ruggedness
Low EMI
Broad package portfolio
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin SOT-223 IPN60R360PFD7SATMA1
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin SOT-223 IPN60R2K0PFD7SATMA1
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 950 V, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin SOT-223 IPN50R2K0CEATMA1
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 950 V, 3-Pin SOT-223 IPN95R3K7P7ATMA1