Infineon IPN N-Channel MOSFET, 6.1 A, 75 V, 3-Pin SOT-223 IPN50R2K0CEATMA1
- RS Stock No.:
- 244-2263
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN50R2K0CEATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB142.02
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB151.96
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 1,920 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB14.202 | THB142.02 |
| 20 - 90 | THB13.491 | THB134.91 |
| 100 - 240 | THB12.807 | THB128.07 |
| 250 - 490 | THB12.178 | THB121.78 |
| 500 + | THB11.576 | THB115.76 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-2263
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN50R2K0CEATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | IPN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series IPN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon's CoolMOS™ CE Power MOSFETs are a technology platform of high voltage power MOSFETs that are designed according to the super junction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements.
Extremely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss.
Very high commutation ruggedness.
Easy to use/drive.
Pb-free plating,Halogen free mold compound.
Qualified for standard grade applications.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPN N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin SOT-223 IPN50R2K0CEATMA1
- Infineon IPN N-Channel MOSFET 950 V, 3-Pin SOT-223 IPN95R3K7P7ATMA1
- Infineon IPN N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin SOT-223 IPN60R360PFD7SATMA1
- Infineon IPN N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin SOT-223 IPN60R600PFD7SATMA1
- Infineon IPN N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin SOT-223 IPN60R2K0PFD7SATMA1
- Infineon IPN N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R750P7SATMA1
- Infineon IPN N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R450P7SATMA1