Infineon Dual N Channel Normal Level Enhancement Mode IPG16N10S4-61 Type N-Channel MOSFET, 16 A, 100 V Dual N, 8-Pin
- RS Stock No.:
- 243-9341
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG16N10S461ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB94,040.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB100,625.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 10,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB18.808 | THB94,040.00 |
| 10000 - 10000 | THB18.243 | THB91,215.00 |
| 15000 + | THB17.696 | THB88,480.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 243-9341
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG16N10S461ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | IPG16N10S4-61 | |
| Package Type | SuperSO8 5 x 6 | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | Dual N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 29W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Dual N Channel Normal Level Enhancement Mode | |
| Standards/Approvals | RoHS, AEC Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series IPG16N10S4-61 | ||
Package Type SuperSO8 5 x 6 | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode Dual N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 29W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Dual N Channel Normal Level Enhancement Mode | ||
Standards/Approvals RoHS, AEC Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon has MOSFET which is Dual N-channel normal level-Logic Level,AEC Q101 qualified and 100% Avalanche tested.
N Channel
100% Avalanche tested
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Dual N Channel Normal Level Enhancement Mode IPG16N10S4-61 Type N-Channel MOSFET 100 V Dual N, 8-Pin
- Infineon Dual N Channel Normal Level IPG20N06S4-15A 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Dual N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Dual N Channel Normal Level IPG 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Type N-Channel MOSFET 100 V Dual N, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 2 Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin SuperSO8
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode IPG20N06S4L-11 Type N-Channel MOSFET 60 V TDSON
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin
