Infineon IAUC N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC90N10S5N062ATMA1

RS Stock No.:: 241-9892
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IAUC90N10S5N062ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IAUC N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC90N10S5N062ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB177.59

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB190.02

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,852 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB88.795	THB177.59
10 - 98	THB86.34	THB172.68
100 - 248	THB83.885	THB167.77
250 - 498	THB81.43	THB162.86
500 +	THB78.98	THB157.96

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 241-9892
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IAUC90N10S5N062ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TDSON
	Series	IAUC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TDSON
	Series IAUC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon IAUC Series MOSFET, 81W Maximum Power Dissipation, 120A Maximum Continuous Drain Current - IAUC90N10S5N062ATMA1

This MOSFET is a power switching transistor designed for high-current, high-temperature environments, providing controlled conduction in enhancement-mode N-channel configurations. It is intended for surface-mount applications where robust thermal and electrical performance are required, and it complies with environmental restriction standards.

Features and Benefits:

• 40V drain rating enabling mid-voltage power switching
• 120A continuous drain current for high-current loads
• 0.7mΩ low on-resistance reducing conduction losses
• 81W power dissipation supporting elevated power handling
• 80nC typical gate charge allowing predictable switching energy
• 20V gate tolerance offering wide gate-drive flexibility

Applications

• Suitable for automotive power management modules
• Ideal for high-current motor drive stages
• Used for DC-DC conversion in industrial systems
• Can be used for battery protection and distribution
• Suitable for Compact surface-mount power assemblies

What thermal range can it operate over?

It is specified to operate from -55°C up to 175°C to accommodate wide thermal envelopes.

What package and mounting style does it use?

It is supplied in a TDSON package designed for surface mounting to control board real estate and thermal paths.

Is it suitable for automotive design requirements?

It meets AEC‑Q101 qualification and is RoHS-compliant for automotive-grade applications.

What channel and conduction mode does it employ?

It is an N-channel device operating in enhancement mode for controlled switching behaviour.