Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC120N04S6L012ATMA1
- RS Stock No.:
- 241-9890
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUC120N04S6L012ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB59.47
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB63.632
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 14,988 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB29.735 | THB59.47 |
| 10 - 98 | THB28.775 | THB57.55 |
| 100 - 248 | THB27.815 | THB55.63 |
| 250 - 498 | THB26.855 | THB53.71 |
| 500 + | THB25.90 | THB51.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 241-9890
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUC120N04S6L012ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | IAUC | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series IAUC | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS 6 Power-Transistor is a N channel power MOSFET for automotive applications. It is 100% Avalanche tested.
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
Green Product (RoHS compliant)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC90N10S5N062ATMA1
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC120N04S6N013ATMA1
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC120N04S6L009ATMA1
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC120N04S6N010ATMA1
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC120N06S5L032ATMA1
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC120N06S5N017ATMA1