Infineon IAUC N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON

RS Stock No.:: 241-9891
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IAUC90N10S5N062ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IAUC N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB232,085.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB248,330.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB46.417	THB232,085.00
10000 - 10000	THB44.929	THB224,645.00
15000 +	THB43.442	THB217,210.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 241-9891
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IAUC90N10S5N062ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TDSON
	Series	IAUC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TDSON
	Series IAUC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon IAUC Series MOSFET, 81W Maximum Power Dissipation, 120A Maximum Continuous Drain Current - IAUC90N10S5N062ATMA1

This MOSFET is a power switching transistor designed for high-current, high-temperature environments, providing controlled conduction in enhancement-mode N-channel configurations. It is intended for surface-mount applications where robust thermal and electrical performance are required, and it complies with environmental restriction standards.

Features and Benefits:

• 40V drain rating enabling mid-voltage power switching
• 120A continuous drain current for high-current loads
• 0.7mΩ low on-resistance reducing conduction losses
• 81W power dissipation supporting elevated power handling
• 80nC typical gate charge allowing predictable switching energy
• 20V gate tolerance offering wide gate-drive flexibility

Applications

• Suitable for automotive power management modules
• Ideal for high-current motor drive stages
• Used for DC-DC conversion in industrial systems
• Can be used for battery protection and distribution
• Suitable for Compact surface-mount power assemblies

What thermal range can it operate over?

It is specified to operate from -55°C up to 175°C to accommodate wide thermal envelopes.

What package and mounting style does it use?

It is supplied in a TDSON package designed for surface mounting to control board real estate and thermal paths.

Is it suitable for automotive design requirements?

It meets AEC‑Q101 qualification and is RoHS-compliant for automotive-grade applications.

What channel and conduction mode does it employ?

It is an N-channel device operating in enhancement mode for controlled switching behaviour.