Infineon IQE N-Channel MOSFET, 253 A, 30 V, 8-Pin PQFN IQE065N10NM5CGATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 10000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB4,060.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB237,370.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB253,985.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
การประหยัด
5000 - 5000THB47.474THB237,370.00-
10000 - 10000THB47.068THB235,340.00THB4,060.00
15000 +THB46.662THB233,310.00THB12,180.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
240-6641
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IQE065N10NM5CGATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

253A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PQFN

Series

IQE

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.85mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

730mV

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOSTM 5 100V PQFN 3.3x3.3 Source-Down features 100 V and low RDS(on) of 6.5 mOhm. It offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density or improved layout possibilities. Furthermore, the higher efficiency, the reduced active cooling requirements and the effective layout for thermal management are benefits at the system level.

Improved PCB losses

Enabling highest power density and performance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง