Infineon IQE Type N-Channel MOSFET, 253 A, 30 V, 8-Pin PQFN IQE006NE2LM5CGATMA1
- RS Stock No.:
- 242-0307
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQE006NE2LM5CGATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB138.32
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB148.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,402 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB69.16 | THB138.32 |
| 10 - 98 | THB67.67 | THB135.34 |
| 100 - 248 | THB66.18 | THB132.36 |
| 250 - 498 | THB64.69 | THB129.38 |
| 500 + | THB63.205 | THB126.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 242-0307
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQE006NE2LM5CGATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 253A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | IQE | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 0.73V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 253A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series IQE | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ | ||
Forward Voltage Vf 0.73V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS 5 power transistor is a N channel MOSFET which has Pb-free lead plating and is RoHS compliant. It is 100% avalanche tested.
Halogen-free according to IEC61249-2-21
Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IQE006NE2LM5ATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IQE050N08NM5ATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IQE030N06NM5CGATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IQE050N08NM5CGATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IQE065N10NM5ATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IQE065N10NM5CGATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IQE008N03LM5CGATMA1