Infineon IQE Type N-Channel MOSFET, 253 A, 30 V, 8-Pin PQFN
- RS Stock No.:
- 240-6639
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQE065N10NM5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB228,570.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB244,570.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB45.714 | THB228,570.00 |
| 10000 - 10000 | THB45.323 | THB226,615.00 |
| 15000 + | THB44.933 | THB224,665.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 240-6639
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQE065N10NM5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 253A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | IQE | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.85mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.73V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 253A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PQFN | ||
Series IQE | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.85mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.73V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOSTM 5 100V PQFN 3.3x3.3 Source-Down features 100 V and low RDS(on) of 6.5 mOhm. It offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density or improved layout possibilities. Furthermore, the higher efficiency, the reduced active cooling requirements and the effective layout for thermal management are benefits at the system level.
Improved PCB losses
Enabling highest power density and performance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IQE065N10NM5ATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IQE008N03LM5ATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IQE006NE2LM5ATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IQE050N08NM5ATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IQE030N06NM5CGATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IQE050N08NM5CGATMA1
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IQE065N10NM5CGATMA1