Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 52.1 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR4602LDP-T1-RE3
- RS Stock No.:
- 239-5385
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiR4602LDP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB305.18
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB326.54
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 5,810 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB30.518 | THB305.18 |
| 50 - 90 | THB29.891 | THB298.91 |
| 100 - 240 | THB23.832 | THB238.32 |
| 250 - 990 | THB23.339 | THB233.39 |
| 1000 + | THB15.529 | THB155.29 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-5385
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiR4602LDP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 52.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SiR | |
| Package Type | PowerPAK SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0088Ω | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19.1nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 52.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SiR | ||
Package Type PowerPAK SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0088Ω | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.1nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay TrenchFET N channel power MOSFET has drain current of 52.1 A. It is used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter and motor drive switch.
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR4602LDP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR588DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR584DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR582DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR586DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5708DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR184LDP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5710DP-T1-RE3