Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET, 108 A, 200 V Enhancement, 8-Pin HSOG IPTG111N20NM3FDATMA1

RS Stock No.:: 233-4389
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPTG111N20NM3FDATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET, 108 A, 200 V Enhancement, 8-Pin HSOG IPTG111N20NM3FDATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB502.89

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB538.092

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,760 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB251.445	THB502.89
10 - 98	THB246.415	THB492.83
100 - 248	THB241.56	THB483.12
250 - 498	THB236.705	THB473.41
500 +	THB231.85	THB463.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 233-4389
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPTG111N20NM3FDATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	108A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	IPTG
	Package Type	HSOG
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	63nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.1mm
	Width	8.75 mm
	Height	2.4mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 108A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series IPTG
	Package Type HSOG
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.1mm
	Width 8.75 mm
	Height 2.4mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPTG111N20NM3FDATMA1

The Infineon OptiMOS power MOSFET IPTG111N20NM3FD comes in the improved TO-Leaded package with gullwing leads. With a compatible footprint to TO-Leadless, TOLG allows excellent electrical performance compared to D2PAK 7-pin with ∼60 percent board space reduction. This new package in OptiMOS 3 - 200 V offers very low RDS(on) and is optimized to handle high current 300 A. The flexibility of gullwing leads, OptiMOS in TOLG package shows excellent solder joint reliability on Al-IMS board.

High efficiency and lower EMI

High performance capability

Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET, 108 A, 200 V Enhancement, 8-Pin HSOG IPTG111N20NM3FDATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง