Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET, 77 A, 250 V Enhancement, 8-Pin HSOG

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1800 ชิ้น)*

THB491,419.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB525,819.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
1800 - 1800THB273.011THB491,419.80
3600 - 3600THB259.36THB466,848.00
5400 +THB246.392THB443,505.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
233-4390
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPTG210N25NM3FDATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

77A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

HSOG

Series

IPTG

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

21mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.1mm

Standards/Approvals

No

Width

8.75 mm

Height

2.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET IPTG210N25NM3FD comes in the improved TO-Leaded package with gullwing leads. With a compatible footprint to TO-Leadless, TOLG allows excellent electrical performance compared to D2PAK 7-pin with ∼60 percent board space reduction. This new package in OptiMOS 3 - 250 V offers very low RDS(on) and is optimized to handle high current 300 A. The flexibility of gullwing leads, OptiMOS in TOLG package shows excellent solder joint reliability on Al-IMS board.

High efficiency and lower EMI

High performance capability

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง