Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET, 108 A, 200 V Enhancement, 8-Pin HSOG
- RS Stock No.:
- 233-4388
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPTG111N20NM3FDATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1800 ชิ้น)*
THB317,154.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB339,355.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1800 - 1800 | THB176.197 | THB317,154.60 |
| 3600 - 3600 | THB167.387 | THB301,296.60 |
| 5400 + | THB159.017 | THB286,230.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 233-4388
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPTG111N20NM3FDATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 108A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | IPTG | |
| Package Type | HSOG | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.1mm | |
| Height | 2.4mm | |
| Width | 8.75 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 108A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series IPTG | ||
Package Type HSOG | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.1mm | ||
Height 2.4mm | ||
Width 8.75 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS power MOSFET IPTG111N20NM3FD comes in the improved TO-Leaded package with gullwing leads. With a compatible footprint to TO-Leadless, TOLG allows excellent electrical performance compared to D2PAK 7-pin with ∼60 percent board space reduction. This new package in OptiMOS 3 - 200 V offers very low RDS(on) and is optimized to handle high current 300 A. The flexibility of gullwing leads, OptiMOS in TOLG package shows excellent solder joint reliability on Al-IMS board.
High efficiency and lower EMI
High performance capability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin HSOG IPTG111N20NM3FDATMA1
- Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSOG
- Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOG
- Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSOG
- Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 8-Pin HSOG
- Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSOG IPTG007N06NM5ATMA1
- Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOG IPTG011N08NM5ATMA1
- Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSOG IPTG014N10NM5ATMA1