onsemi SiC Power N-Channel MOSFET, 62 A, 650 V N, 7-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 229-6443
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBG045N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB262,049.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB280,392.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 1600 | THB327.562 | THB262,049.60 |
| 2400 - 3200 | THB319.373 | THB255,498.40 |
| 4000 + | THB311.388 | THB249,110.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-6443
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBG045N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 62A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | SiC Power | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 50mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 242W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 105nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Forward Voltage Vf | 4.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.7mm | |
| Height | 9.4mm | |
| Length | 10.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 62A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series SiC Power | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 50mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 242W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 105nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Forward Voltage Vf 4.8V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.7mm | ||
Height 9.4mm | ||
Length 10.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge.
Highest efficiency
Faster operation frequency
Increased power density
Reduced EMI
Reduced system size
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263 NTBG045N065SC1
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263 NTBG015N065SC1
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBGS004N10G
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247