onsemi SiC Power N-Channel MOSFET, 142 A, 650 V N, 4-Pin TO-247 NTH4L015N065SC1
- RS Stock No.:
- 229-6457
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L015N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 1350 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB16,870.95
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 450 ชิ้น)*
THB343,049.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB367,063.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 450 - 900 | THB762.333 | THB343,049.85 | - |
| 1350 - 1800 | THB749.836 | THB337,426.20 | THB16,870.95 |
| 2250 + | THB737.742 | THB331,983.90 | THB55,329.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-6457
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L015N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 142A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | SiC Power | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 12mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 283nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Forward Voltage Vf | 4.8V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.8mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.2mm | |
| Height | 22.74mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 142A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series SiC Power | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 12mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 283nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Forward Voltage Vf 4.8V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.8mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.2mm | ||
Height 22.74mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247 NTH4L015N065SC1
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247 NTH4L045N065SC1
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247 NTH4L060N090SC1
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263 NTBG045N065SC1
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263 NTBG015N065SC1
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBGS004N10G