onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET, 142 A, 650 V N, 4-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 229-6457
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L015N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 450 ชิ้น)*
THB343,049.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB367,063.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 450 - 900 | THB762.333 | THB343,049.85 |
| 1350 - 1800 | THB749.836 | THB337,426.20 |
| 2250 + | THB737.742 | THB331,983.90 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-6457
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L015N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 142A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | SiC Power | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 12mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 283nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Forward Voltage Vf | 4.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.8mm | |
| Width | 5.2 mm | |
| Height | 22.74mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 142A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series SiC Power | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 12mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 283nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Forward Voltage Vf 4.8V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.8mm | ||
Width 5.2 mm | ||
Height 22.74mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge.
Highest efficiency
Faster operation frequency
Increased power density
Reduced EMI
Reduced system size
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247 NTH4L015N065SC1
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247 NTH4L060N090SC1
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247 NTH4L045N065SC1
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263 NTBG015N065SC1