Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 18 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS660CENW-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB253.84

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB271.61

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 2,780 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 40THB25.384THB253.84
50 - 90THB24.75THB247.50
100 - 240THB24.13THB241.30
250 - 990THB23.528THB235.28
1000 +THB22.941THB229.41

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
228-2968
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQS660CENW-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET automotive N-channel is 60 V power MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง