Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 18 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS414CENW-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 228-2963
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQS414CENW-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB521.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB557.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | THB20.85 | THB521.25 |
| 50 - 75 | THB20.329 | THB508.23 |
| 100 - 225 | THB19.82 | THB495.50 |
| 250 - 975 | THB19.325 | THB483.13 |
| 1000 + | THB18.842 | THB471.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2963
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQS414CENW-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 23mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.78V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.9nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 33W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 23mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.78V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.9nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 33W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay TrenchFET automotive N-channel is 60 V power MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQSA12CENW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQSA70CENW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS486CENW-T1_GE3
- Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212