Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD40052EL_GE3
- RS Stock No.:
- 228-2948
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQD40052EL_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB295.49
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB316.17
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,690 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB29.549 | THB295.49 |
| 50 - 90 | THB28.811 | THB288.11 |
| 100 - 240 | THB28.091 | THB280.91 |
| 250 - 990 | THB27.389 | THB273.89 |
| 1000 + | THB26.705 | THB267.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2948
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQD40052EL_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.83V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34.5nC | ||
Forward Voltage Vf 0.83V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay TrenchFET automotive N-channel is 40 V power MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA10DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQR40020ER_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD40020E_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD40020EL_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252