Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA10DN-T1-GE3

RS Stock No.:: 787-9409
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISA10DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA10DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB257.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB275.58

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB25.755	THB257.55
750 - 1490	THB25.111	THB251.11
1500 +	THB24.724	THB247.24

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 787-9409
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISA10DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	39W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	3.4 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.12mm
	Length	3.4mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 39W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 3.4 mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.12mm
	Length 3.4mm
	Automotive Standard No

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA10DN-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง