Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQR40020ER_GE3
- RS Stock No.:
- 188-5042
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQR40020ER_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB321.74
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB344.26
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 310 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 495 | THB64.348 | THB321.74 |
| 500 - 995 | THB62.74 | THB313.70 |
| 1000 + | THB61.774 | THB308.87 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-5042
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQR40020ER_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00233Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 84nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 107W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 9.65 mm | |
| Height | 4.57mm | |
| Length | 10.41mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00233Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 84nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 107W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 9.65 mm | ||
Height 4.57mm | ||
Length 10.41mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.
TrenchFET® power MOSFET
Package with low thermal resistance
Ni plated drain tab area (heat sink) for top side cooling
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD40020E_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD40020EL_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD50034E_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD40052EL_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23