Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 185.6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Stock No.:
- 228-2932
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiSS54DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB83,364.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB89,199.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB27.788 | THB83,364.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2932
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiSS54DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 185.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.06mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65.7W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 185.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.06mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65.7W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay N-Channel 30-V (D-S) MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS54DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
