Vishay SiHFPS37N50A Type N-Channel Power MOSFET, 36 A, 500 V Enhancement, 3-Pin Super-247 SiHFPS37N50A-GE3

RS Stock No.:: 228-2856
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHFPS37N50A-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SiHFPS37N50A Type N-Channel Power MOSFET, 36 A, 500 V Enhancement, 3-Pin Super-247 SiHFPS37N50A-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB272.61

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB291.69

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 60 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB272.61
10 - 24	THB265.81
25 - 99	THB259.16
100 - 499	THB252.67
500 +	THB246.35

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 228-2856
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHFPS37N50A-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Series	SiHFPS37N50A
	Package Type	Super-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	130mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Power Dissipation Pd	446W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	180nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Series SiHFPS37N50A
	Package Type Super-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 130mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Power Dissipation Pd 446W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 180nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Vishay SiHFPS37N50A Series Power MOSFET, 500V Drain Source Voltage, 36A Continuous Drain Current - SiHFPS37N50A-GE3

This power MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement device designed for switching and power-conversion roles in industrial electronics. It operates across a wide temperature span and is offered in a through-hole Super-247 package for robust mounting and reliable thermal path. The component conforms to RoHS requirements and is intended for applications demanding elevated voltage handling and continuous drain capability.

Features and Benefits:

• 500V drain rating enables high-voltage switching applications
• 36A continuous drain current supports heavy load handling
• 130mΩ Rds(on) reduces conduction losses under load
• 446W power dissipation permits elevated power throughput
• 180nC typical gate charge optimises switching energy trade-offs
• 30V gate tolerance allows use with wide gate-drive voltages

Applications

• Suitable for industrial power supplies and converters
• Ideal for high-voltage motor drive stages
• Used in switching stages of lighting and ballast systems
• Can be used for inverter front-ends in power electronics
• Appropriate for laboratory and prototyping through-hole assemblies

What ambient temperatures can this device tolerate during operation?

It is specified for operation from -55°C up to 150°C, supporting use in extended temperature environments.

How does the package choice affect heat handling and assembly?

The Super-247 through-hole package provides a substantial thermal path to soldered mounting points, aiding heat dissipation in high-power assemblies.

What gate-drive constraints should be considered for reliable use?

The device permits gate-source voltages up to 30V

designs should limit Vgs within this range to prevent gate damage.

Is this device suitable for avalanche or transient energy absorption?

The maximum gate rating of 30V and its high-voltage drain capability indicate it can be used in circuits where transient robustness is required, but transient energy handling should be verified against system-level considerations.