Vishay P-Channel 12 V Type P-Channel MOSFET, 137 A, 12 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Stock No.:
- 225-9942
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ123ELP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB79,350.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB84,900.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 9,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB26.45 | THB79,350.00 |
| 6000 + | THB25.921 | THB77,763.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 225-9942
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ123ELP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 137A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Package Type | PowerPAK (8x8L) | |
| Series | P-Channel 12 V | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.6mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Forward Voltage Vf | -0.76V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 120nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.38mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.73 mm | |
| Length | 10.41mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 137A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Package Type PowerPAK (8x8L) | ||
Series P-Channel 12 V | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.6mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Forward Voltage Vf -0.76V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 120nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.38mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.73 mm | ||
Length 10.41mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
AEC-Q101 qualified
100 % Rg and UIS tested
Thin 1.6 mm package
Very low thermal resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay P-Channel 12 V Type P-Channel MOSFET 12 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJ123ELP-T1_GE3
- Vishay P-Channel 40 V Type P-Channel MOSFET 40 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay P-Channel 30 V Type P-Channel MOSFET 30 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay P-Channel 40 V Type P-Channel MOSFET 40 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ141EL-T1_GE3
- Vishay P-Channel 30 V Type P-Channel MOSFET 30 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ131EL-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay P-Channel 60-V Type P-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ130EL-T1_GE3