Vishay P-Channel 60-V Type P-Channel MOSFET, 11.5 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Stock No.:
- 225-9933
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ7415CENW-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB42,396.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB45,363.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 9,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB14.132 | THB42,396.00 |
| 6000 + | THB13.849 | THB41,547.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 225-9933
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ7415CENW-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Series | P-Channel 60-V | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 136mΩ | |
| Forward Voltage Vf | -0.85V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Width | 3.3 mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Series P-Channel 60-V | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 136mΩ | ||
Forward Voltage Vf -0.85V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 3.3mm | ||
Width 3.3 mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
TrenchFET power MOSFET
AEC-Q101 qualified
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay P-Channel 60-V Type P-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212 SQ7415CENW-T1_GE3
- Vishay P-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7129DN-T1-GE3
- Vishay P-Channel 40 V Type P-Channel MOSFET 40 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay P-Channel 12 V Type P-Channel MOSFET 12 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay P-Channel 30 V Type P-Channel MOSFET 30 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS27DN-T1-GE3