Infineon BSS123I Type N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V Depletion, 4-Pin SOT-223
- RS Stock No.:
- 225-0556
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS123IXTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB5,442.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,823.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | THB1.814 | THB5,442.00 |
| 9000 - 12000 | THB1.769 | THB5,307.00 |
| 15000 + | THB1.725 | THB5,175.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 225-0556
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS123IXTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 190mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | BSS123I | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.63nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.7 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.8mm | |
| Length | 6.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 190mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series BSS123I | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.63nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.7 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.8mm | ||
Length 6.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon BSS123I is the small signal, small power N- and P-channel MOSFETs provide a wide range of VGS(th) levels and RDS(on) values, as well as multiple voltage classes. This MOSFET have enhancement and depletion-mode options.
PCB-space and cost savings
Gate drive flexibility
Reduced design complexity
Environmentally friendly
High overall efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSS123I Type N-Channel MOSFET 100 V Depletion, 4-Pin SOT-223 BSS123IXTSA1
- Infineon BSS169I N-Channel MOSFET 100 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS169IXTSA1
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 200 V Depletion, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 4-Pin SOT-223
- Infineon BSP135I Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 200 V Depletion, 4-Pin SOT-223 BSP149H6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 240 V Depletion, 4-Pin SOT-223 BSP129H6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 4-Pin SOT-223 BSP135H6327XTSA1