Infineon BSS123I N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V Depletion, 4-Pin SOT-223 BSS123IXTSA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB5,283.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,652.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 6000THB1.761THB5,283.00
9000 - 12000THB1.717THB5,151.00
15000 +THB1.674THB5,022.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
225-0556
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSS123IXTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

190mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-223

Series

BSS123I

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

10Ω

Channel Mode

Depletion

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.63nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

0.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.7mm

Height

1.8mm

Width

3.7mm

Automotive Standard

No

Infineon BSS123I Series MOSFET, 100V Maximum Drain Source Voltage, 190mA Maximum Continuous Drain Current - BSS123IXTSA1


This MOSFET is a small-signal N-channel transistor designed for surface-mount applications, providing switching and amplification functions across a wide temperature range. It is intended for circuits requiring a depletion-mode device with modest current handling and moderate voltage capability, suitable for Compact assemblies where a SOT-223 package and conservative power handling are required.

Features and Benefits:


• 100 V drain-to-source rating delivers high-voltage switching capability
• 10 Ω maximum RDS(on) provides controlled on-state conduction
• 190 mA continuous drain current supports low-current loads
• 0.5 W power dissipation limits thermal stress in constrained layouts
• 0.63 nC typical gate charge enables modest switching energy demands
• ±20 V gate tolerance allows broad gate-drive flexibility

Applications


• Used for low-current high-voltage switching in control circuits
• Suitable for surface-mount power management on Compact boards
• Ideal for analogue signal attenuation or pull-down functions
• Can be used for level-shifting in mixed-voltage systems
• Used with driver stages needing depletion-mode characteristics

What ambient temperature range can it operate in?


It is specified to function correctly from -55°C up to 150°C.

What package should designers plan for when laying out the board?


The device comes in a SOT-223 surface-mount package with four pins for PCB footprint planning.

How does its gate charge affect switching performance?


A typical gate charge of 0.63 nC reduces required gate-drive energy and influences transition speed in switching topologies.

What limits the maximum continuous current in applications?


The specified continuous drain current of 190 mA defines thermal and conduction limits for sustained operation.

Is this intended as an automotive-grade component?


It is not classified to automotive standards and should not be assumed to meet automotive qualification.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง