Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 223-8514
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD26N06S2L35ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB36,172.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB38,705.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB14.469 | THB36,172.50 |
| 5000 - 5000 | THB14.098 | THB35,245.00 |
| 7500 + | THB13.919 | THB34,797.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 223-8514
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD26N06S2L35ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.95V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 68W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.95V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 68W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS series N-channel MOSFET in DPAK package. It has benefits of highest current capability, lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency and robust packages with superior quality and reliability.
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green package
Ultra low Rds
100% Avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPD26N06S2L35ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S2L13ATMA4
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S223ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S215ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N06S2H5ATMA2