Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S2L13ATMA4

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 630 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB497.07

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB315.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB337.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 9,860 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
การประหยัด
10 - 620THB31.52THB315.20-
630 - 1240THB30.731THB307.31THB497.07
1250 +THB30.259THB302.59THB1,576.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
214-4374
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD30N06S2L13ATMA4
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

OptiMOS

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

13mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.42mm

Standards/Approvals

No

Height

2.35mm

Length

6.65mm

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS MOSFET provides high current capability, and Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is 100% Avalanche tested.

It is lead-free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง