Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 214-9023
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB80N06S2H5ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB59,631.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB63,805.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB59.631 | THB59,631.00 |
| 2000 - 3000 | THB57.842 | THB57,842.00 |
| 4000 + | THB56.107 | THB56,107.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9023
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB80N06S2H5ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon range of OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications. These are robust packages with superior quality and reliability.
The product is Automotive AEC Q101 qualified
100% Avalanche tested
It has 175°C operating temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N06S2H5ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N06S2L09ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80N06S209AKSA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB100N06S2L05ATMA2
