Infineon IPS70R Type N-Channel MOSFET, 8.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- RS Stock No.:
- 222-4932
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
- IPS70R600P7SAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*
THB1,293.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,383.975
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,425 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 75 - 150 | THB17.246 | THB1,293.45 |
| 225 - 300 | THB16.577 | THB1,243.28 |
| 375 + | THB16.371 | THB1,227.83 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4932
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
- IPS70R600P7SAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ข้อมูลทางเทคนิค
Technical data sheets
Legislation and Compliance
Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Package Type | TO-251 | |
| Series | IPS70R | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 600mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43.1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 2.4 mm | |
| Height | 6.22mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Package Type TO-251 | ||
Series IPS70R | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43.1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 2.4 mm | ||
Height 6.22mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon developed to serve today’s and especially tomorrow’s trends in flyback topologies – the new 700V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains compared to superjunction technologies used today. By combining customers’ feedback with over 20 years of superjunction MOSFET experience, 700V
Allowing high speed switching
Integrated protection Zener diode
Optimized V (GS)th of 3V with very narrow tolerance of ±0.5V
Finely graduated portfolio
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPS70R Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS70R600P7SAKMA1
- Infineon IPS70R Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon IPS70R Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon IPS70R Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS70R1K4P7SAKMA1
- Infineon IPS70R Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS70R900P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R600P7SAKMA1
- Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R600P7SAUMA1