Infineon IPS70R N-Channel MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS70R900P7SAKMA1

RS Stock No.:: 222-4936
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPS70R900P7SAKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPS70R N-Channel MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS70R900P7SAKMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 50 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB30.75

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB615.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB658.47

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

675 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
25 - 25	THB24.616	THB615.40	-
50 - 75	THB24.001	THB600.03	THB30.75
100 - 225	THB23.401	THB585.03	THB121.50
250 - 475	THB22.816	THB570.40	THB450.00
500 +	THB22.246	THB556.15	THB1,185.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4936
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPS70R900P7SAKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Package Type	TO-251
	Series	IPS70R
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	900mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.8nC
	Forward Voltage Vf	900mV
	Maximum Power Dissipation Pd	30.5W
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.73mm
	Width	2.4mm
	Height	6.22mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Package Type TO-251
	Series IPS70R
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 900mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.8nC
	Forward Voltage Vf 900mV
	Maximum Power Dissipation Pd 30.5W
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.73mm
	Width 2.4mm
	Height 6.22mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPS70R900P7SAKMA1

The Infineon developed to serve today’s and especially tomorrow’s trends in flyback topologies – the new 700V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains compared to superjunction technologies used today. By combining customers’ feedback with over 20 years of superjunction MOSFET experience, 700V CoolMOS™ P7 enables best fit for target applications in terms of:

Allowing high speed switching

Integrated protection Zener diode

Optimized V (GS)th of 3V with very narrow tolerance of ±0.5V

Finely graduated portfolio

Infineon IPS70R N-Channel MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS70R900P7SAKMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง