Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 8.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R600P7SAUMA1

RS Stock No.:: 215-2509
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD70R600P7SAUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 8.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R600P7SAUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB519.65

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB556.025

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 600	THB20.786	THB519.65
625 - 1225	THB20.266	THB506.65
1250 +	THB19.955	THB498.88

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 215-2509
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD70R600P7SAUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	8.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Series	700V CoolMOS P7
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	600mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	10.5W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10.5nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 8.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Series 700V CoolMOS P7
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 10.5W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.5nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD70R600P7SAUMA1

Infineon 700V CoolMOS P7 Series MOSFET, 700V Drain Source Voltage, 8.5A Continuous Drain Current - IPD70R600P7SAUMA1

This MOSFET is a high-voltage, N‑channel switching transistor designed for surface‑mount power applications. It operates in enhancement mode and is intended for circuits requiring elevated drain-source voltage capability while providing moderate conduction performance and thermal handling for compact SMD layouts.

Features and Benefits:

• 700V drain-source rating enables high‑voltage switching duties
• 8.5A continuous drain current supports sustained load conduction
• 600mΩ Rds(on) limits conduction losses in medium‑power designs
• 10.5W maximum power dissipation permits reliable thermal margin
• 10.5nC typical gate charge gives faster gate transitions
• ±20V gate tolerance allows standard gate‑drive voltages

Applications

• Suitable for high‑voltage switch‑mode power supplies
• Ideal for primary‑side power conversion stages
• Used with resonant and hard‑switched topologies
• Can be used for industrial lighting ballasts
• Employed in compact SMD power modules

What temperature range can it withstand in operation?

It is specified to operate from -55°C up to 150°C, covering wide thermal environments.

How many electrical connections does it present for PCB layout?

The device has three pins in a TO‑252 surface‑mount package requiring conventional SMD footprint design.

What conduction characteristic determines voltage drop during on‑state?

The on‑state resistance of 600mΩ defines the voltage drop at a given drain current and affects conduction losses.

How does gate drive affect switching performance?

The typical gate charge of 10.5nC at Vgs conditions influences required drive current and switching speed for a given gate‑driver capability.