Infineon IPP60R N-Channel MOSFET, 26 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R120P7XKSA1

RS Stock No.:: 222-4928
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPP60R120P7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPP60R N-Channel MOSFET, 26 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R120P7XKSA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB3,586.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,837.35

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 100	THB71.726	THB3,586.30
150 - 200	THB68.974	THB3,448.70
250 +	THB68.098	THB3,404.90

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4928
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPP60R120P7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	26A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-220
	Series	IPP60R
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	120mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	95W
	Forward Voltage Vf	900mV
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.36mm
	Height	9.45mm
	Width	4.57mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 26A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-220
	Series IPP60R
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 120mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 95W
	Forward Voltage Vf 900mV
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.36mm
	Height 9.45mm
	Width 4.57mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPP60R120P7XKSA1

Infineon IPP60R Series MOSFET, 600V Maximum Drain Source Voltage, 26A Maximum Continuous Drain Current - IPP60R120P7XKSA1

This MOSFET is a high-voltage switching transistor designed for power-control applications where elevated voltage tolerance and thermal range are required. It operates as an N-channel enhancement device in a through-hole TO-220 package and is suitable for circuit designs that demand robust gate drive and significant continuous current handling in demanding temperature environments.

Features and Benefits:

• 600 V drain-source voltage enables high-voltage switching capability
• 120 mΩ RDS(on) reduces conduction losses for improved efficiency
• 26 A continuous drain current supports substantial load currents
• 36 nC typical gate charge eases gate-drive sizing for Faster switching
• 95 W maximum power dissipation allows high-power operation
• −55 °C to 150 °C operating range supports wide thermal environments

Applications

• Suitable for high-voltage SMPS primary switching stages
• Ideal for motor-drive half-bridge circuits requiring through-hole mounting
• Used with industrial inverters handling elevated voltages
• Can be used for switch-mode power conversion in bench equipment
• Appropriate for power supplies where robust thermal tolerance is necessary

What is the maximum gate voltage recommended for drive circuitry?

The device accepts gate-source voltages up to 20 V, so gate drivers should be selected to remain within this limit.

How does package choice affect mounting and thermal management?

The TO-220 through-hole package facilitates heatsinking and straightforward PCB mounting for improved thermal dissipation.

What conduction performance can be expected during heavy loads?

With an RDS(on) up to 120 mΩ and continuous drain current of 26 A, conduction losses are quantifiable for thermal-design calculations.

How should switching losses be accounted for in design?

Use the typical gate charge of 36 nC to estimate driver energy per switching event and include the 600 V rating when calculating voltage-related switching losses.